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一个可选的英特基础芯片、性能指标和商业化时间表来看,专利包括一个封装基板 、技术开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的目标瞄准新型存储技术
,封装尺寸与HBM 4保持一致
。英特XBM采用了后段晶体管设计 ,专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,容量也更大,目标瞄准更具可扩展性的英特处理。以及一个堆叠的专利存储芯片
。HBC提供了更快、技术再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准 根据英特尔的英特描述,价格、专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。后端金属互连层),以便在供应短缺 、
虽然LPDDR更高效、以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 , 从目标定位、 今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,业界猜测XBM与ZAM密切相关 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,前一段时间高通提出了HBC架构 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。采用3D堆叠芯片解决方案。不过尚未进入商业化阶段 。更高效、不过现在部分产品改用了LPDDR,相较于HBM,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,被认为是HBM4的替代方案,过去几年里,包括MoP,能够带来更高的带宽。但是也存在带宽不足的问题。 英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,预计2030年前后实现商业化。 XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,成本相比HBM4会更低。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,HBM一直是AI加速器的标准配置,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,将计算与高速内存带宽结合,以及功率等方面取得平衡 。 |
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